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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSTS9D8NH3LL
STS9D8NH3LL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STS9D8NH3LL - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS9D8NH3LL
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS9D8NH3LL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS9D8NH3LL.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4950

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STS9D8NH3LL
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS9D8NH3LL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS9D8NH3LL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 9A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base STS9D8  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS9D8NH3LL

Proprietà del prodotto STS9D8NH3LL STS8DNF3LL STS8DN3LLH5 STS8DNH3LL
Modello di prodotti STS9D8NH3LL STS8DNF3LL STS8DN3LLH5 STS8DNH3LL
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STS9D8 STS8DNF3 STS8DN3 STS8DN
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V 20mOhm @ 4A, 10V 19mOhm @ 5A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 9A 8A 10A 8A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie STripFET™ STripFET™ II STripFET™ V STripFET™ III
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Potenza - Max 2W 1.6W 2.7W 2W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 17nC @ 5V 5.4nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V 800pF @ 25V 724pF @ 25V 857pF @ 25V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA

STS9D8NH3LL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS9D8NH3LL PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS9D8NH3LL - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdf
Schede tecniche
STS9D8NH3LL.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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