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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG Image
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STS8N6LF6AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS8N6LF6AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS8N6LF6AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS8N6LF6AG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STS8N6LF6AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS8N6LF6AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS8N6LF6AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)  
Numero di prodotto di base STS8N6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS8N6LF6AG

Proprietà del prodotto STS8N6LF6AG STS9NF3LL STS9NH3LL STS9NF30L
Modello di prodotti STS8N6LF6AG STS9NF3LL STS9NH3LL STS9NF30L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ II STripFET™ III STripFET™ II
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 22mOhm @ 4.5A, 10V 20mOhm @ 4.5A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) 9A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V 12.5 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base STS8N6 STS9NF STS9NH STS9NF
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 857 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STS8N6LF6AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS8N6LF6AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS8N6LF6AG - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STS8N6LF6AG.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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