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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTS17NF3LL
STS17NF3LL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STS17NF3LL - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS17NF3LL
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS17NF3LL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS17NF3LL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STS17NF3LL
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS17NF3LL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS17NF3LL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base STS17  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS17NF3LL

Proprietà del prodotto STS17NF3LL STS20N3LLH6 STS15N4LLF3 STS13N3LLH5
Modello di prodotti STS17NF3LL STS20N3LLH6 STS15N4LLF3 STS13N3LLH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Serie STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ STripFET™ V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base STS17 STS20 STS15 STS13
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±18V ±20V ±16V +22V, -20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 8.5A, 10V 4.7mOhm @ 10A, 10V 5mOhm @ 7.5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STS17NF3LL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS17NF3LL PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS17NF3LL - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STS17NF3LL.pdf

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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