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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTS15N4LLF3
STS15N4LLF3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STS15N4LLF3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS15N4LLF3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS15N4LLF3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS15N4LLF3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STS15N4LLF3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS15N4LLF3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS15N4LLF3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base STS15  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS15N4LLF3

Proprietà del prodotto STS15N4LLF3 STS1HNK60 STS11NF30L STS13N3LLH5
Modello di prodotti STS15N4LLF3 STS1HNK60 STS11NF30L STS13N3LLH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2530 pF @ 25 V 156 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 7.5A, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 10.5mOhm @ 5.5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 300mA (Tc) 11A (Tc) 13A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Tc) 2W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 30 nC @ 5 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 3.7V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - - - -
Serie STripFET™ SuperMESH™ STripFET™ II STripFET™ V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 600 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±30V ±18V +22V, -20V
Numero di prodotto di base STS15 STS1 STS11 STS13
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STS15N4LLF3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS15N4LLF3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS15N4LLF3 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STS15N4LLF3.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS15N4LLF3

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32D-STS15N4LLF3

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