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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP7N95K3
STP7N95K3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP7N95K3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP7N95K3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP7N95K3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx7N95K3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24471

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP7N95K3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP7N95K3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP7N95K3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35Ohm @ 3.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1031 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 950 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP7N95  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP7N95K3

Proprietà del prodotto STP7N95K3 STP78N75F4 STP7NB60 STP7N80K5
Modello di prodotti STP7N95K3 STP78N75F4 STP7NB60 STP7N80K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc) 78A (Tc) 7.2A (Tc) 6A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1031 pF @ 100 V 5015 pF @ 25 V 1625 pF @ 25 V 360 pF @ 100 V
Serie SuperMESH3™ DeepGATE™, STripFET™ PowerMESH™ SuperMESH5™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35Ohm @ 3.6A, 10V 11mOhm @ 39A, 10V 1.2Ohm @ 3.6A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V
Numero di prodotto di base STP7N95 STP78N - STP7N80
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 950 V 75 V 600 V 800 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

STP7N95K3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP7N95K3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP7N95K3 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Packaging PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
STx7N95K3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP7N95K3

STMicroelectronics
32D-STP7N95K3

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