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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP78N75F4
STP78N75F4 Image
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STP78N75F4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP78N75F4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP78N75F4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx78N75F4.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP78N75F4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP78N75F4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP78N75F4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie DeepGATE™, STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 39A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5015 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP78N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP78N75F4

Proprietà del prodotto STP78N75F4 STP7N90K5 STP77N6F6 STP76NF75
Modello di prodotti STP78N75F4 STP7N90K5 STP77N6F6 STP76NF75
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie DeepGATE™, STripFET™ MDmesh™ K5 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 110W (Tc) 80W (Tc) 300W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5015 pF @ 25 V 425 pF @ 10 V 5300 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V 17.7 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 900 V 60 V 75 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numero di prodotto di base STP78N STP7 STP77N STP76
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 39A, 10V 810mOhm @ 4A, 10V 7mOhm @ 38.5A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc) 7A (Tc) 77A (Tc) 80A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

STP78N75F4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP78N75F4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP78N75F4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STx78N75F4.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP78N75F4

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