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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP28N60M2
STP28N60M2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP28N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP28N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP28N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx28N60M2 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27575

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP28N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP28N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP28N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP28  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP28N60M2

Proprietà del prodotto STP28N60M2 STP28NM60ND STP270N4F3 STP27N3LH5
Modello di prodotti STP28N60M2 STP28NM60ND STP270N4F3 STP27N3LH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 2090 pF @ 100 V 7400 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 40 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) 190W (Tc) 330W (Tc) 45W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±22V
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 150mOhm @ 11.5A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 20mOhm @ 13.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base STP28 STP28 STP270 STP27N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 23A (Tc) 120A (Tc) 27A (Tc)
Serie MDmesh™ II Plus FDmesh™ II STripFET™ III STripFET™ V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V

STP28N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP28N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP28N60M2 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
STx28N60M2 Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP28N60M2

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32D-STP28N60M2

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