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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP27N3LH5
STP27N3LH5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP27N3LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP27N3LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP27N3LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx27N3LH5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP27N3LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP27N3LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP27N3LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP27N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP27N3LH5

Proprietà del prodotto STP27N3LH5 STP26NM60N STP27N60M2-EP STP28NM60ND
Modello di prodotti STP27N3LH5 STP26NM60N STP27N60M2-EP STP28NM60ND
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 5 V 60 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 600 V 600 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 13.5A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 163mOhm @ 10A, 10V 150mOhm @ 11.5A, 10V
Serie STripFET™ V MDmesh™ II MDmesh™ M2-EP FDmesh™ II
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base STP27N STP26 STP27N STP28
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V 1320 pF @ 100 V 2090 pF @ 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±22V ±30V ±25V ±25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 23A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 140W (Tc) 170W (Tc) 190W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

STP27N3LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP27N3LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP27N3LH5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 09/Apr/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Schede tecniche
STx27N3LH5.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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