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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP17NK40Z
STP17NK40Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP17NK40Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP17NK40Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP17NK40Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 15A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP17NK40Z(FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11389

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP17NK40Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP17NK40Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP17NK40Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP17N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP17NK40Z

Proprietà del prodotto STP17NK40Z STP16NS25FP STP180N10F3 STP17N80K5
Modello di prodotti STP17NK40Z STP16NS25FP STP180N10F3 STP17N80K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 7.5A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 5.1mOhm @ 60A, 10V 340mOhm @ 7A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1270 pF @ 25 V 6665 pF @ 25 V 866 pF @ 100 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 40W (Tc) 315W (Tc) 170W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 16A (Tc) 120A (Tc) 14A (Tc)
Serie SuperMESH™ MESH OVERLAY™ STripFET™ III MDmesh™ K5
Numero di prodotto di base STP17N STP16N STP180 STP17
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 250 V 100 V 800 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 114.6 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V

STP17NK40Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP17NK40Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP17NK40Z - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STP17NK40Z(FP).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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