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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP16NS25
STP16NS25 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP16NS25 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP16NS25
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP16NS25
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP16NS25(FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP16NS25
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP16NS25, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP16NS25

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP16N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP16NS25

Proprietà del prodotto STP16NS25 STP16NF06L STP16NS25FP STP16NK65Z
Modello di prodotti STP16NS25 STP16NF06L STP16NS25FP STP16NK65Z
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie MESH OVERLAY™ STripFET™ II MESH OVERLAY™ SuperMESH™
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 45W (Tc) 40W (Tc) 190W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V, 5V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V 90mOhm @ 8A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 500mOhm @ 6.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 60 V 250 V 650 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Numero di prodotto di base STP16N STP16 STP16N STP16N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 13A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 83 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V 345 pF @ 25 V 1270 pF @ 25 V 2750 pF @ 25 V

STP16NS25 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP16NS25 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP16NS25 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STP16NS25(FP).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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