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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL260N4LF7
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL260N4LF7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL260N4LF7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL260N4LF7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL260N4LF7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33243

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL260N4LF7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL260N4LF7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL260N4LF7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ F7  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL260N4LF7

Proprietà del prodotto STL260N4LF7 STL24N60M2 STL30N10F7 STL26N65DM2
Modello di prodotti STL260N4LF7 STL24N60M2 STL30N10F7 STL26N65DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 18A (Tc) 30A (Tc) 20A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 600 V 100 V 650 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 35.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 1060 pF @ 100 V 920 pF @ 50 V 1480 pF @ 100 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1mOhm @ 25A, 10V 210mOhm @ 9A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 206mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±25V
Serie STripFET™ F7 MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ DM2
Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc) 125W (Tc) 75W (Tc) 140W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STL260N4LF7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL260N4LF7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL260N4LF7 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
STL260N4LF7.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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