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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL31N65M5
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL31N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL31N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL31N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL31N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14323

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL31N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL31N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL31N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 162mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1865 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta), 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL31  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL31N65M5

Proprietà del prodotto STL31N65M5 STL26N65DM2 STL2N80K5 STL33N60M2
Modello di prodotti STL31N65M5 STL26N65DM2 STL2N80K5 STL33N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STL31 STL26 STL2 STL33
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 125W (Tc) 140W (Tc) 33W (Tc) 190W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1865 pF @ 100 V 1480 pF @ 100 V 95 pF @ 100 V 1700 pF @ 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 800 V 600 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie MDmesh™ V MDmesh™ DM2 SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 35.5 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta), 15A (Tc) 20A (Tc) 2A (Tc) 22A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV
Rds On (max) a Id, Vgs 162mOhm @ 11A, 10V 206mOhm @ 10A, 10V 4.9Ohm @ 1A, 10V 135mOhm @ 10.75A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STL31N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL31N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL31N65M5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN Design/Specifica
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPD/15/9187 17/Apr/2015.pdf
Schede tecniche
STL31N65M5.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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