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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL160NS3LLH7
STL160NS3LLH7 Image
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STL160NS3LLH7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL160NS3LLH7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL160NS3LLH7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL160NS3LLH7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL160NS3LLH7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL160NS3LLH7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL160NS3LLH7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 84W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3245 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL160  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL160NS3LLH7

Proprietà del prodotto STL160NS3LLH7 STL18N55M5 STL16N1VH5 STL17N3LLH6
Modello di prodotti STL160NS3LLH7 STL18N55M5 STL16N1VH5 STL17N3LLH6
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 550 V 12 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 84W (Tc) 3W (Ta), 90W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 18A, 10V 270mOhm @ 6A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 2.4A (Ta), 13A (Tc) 16A (Tc) 17A (Tc)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ V STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ VI
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA 5V @ 250µA 500mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±8V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base STL160 STL18 STL16 STL17
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3245 pF @ 25 V 1352 pF @ 100 V 2085 pF @ 12 V 1690 pF @ 25 V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 26.5 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STL160NS3LLH7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL160NS3LLH7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL160NS3LLH7 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STL160NS3LLH7.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STL160NS3LLH7 29/Nov/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
STL1 30/Jun/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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