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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL140N6F7
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL140N6F7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL140N6F7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL140N6F7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL140N6F7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 20542

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL140N6F7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL140N6F7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL140N6F7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.8W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 145A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL140N6F7

Proprietà del prodotto STL140N6F7 STL15N65M5 STL13N60M2 STL160N4F7
Modello di prodotti STL140N6F7 STL15N65M5 STL13N60M2 STL160N4F7
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 16A, 10V 375mOhm @ 5A, 10V 420mOhm @ 4.5A, 10V 2.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 650 V 600 V 40 V
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ V MDmesh™ II Plus STripFET™ F7
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 816 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V 2300 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 145A (Tc) 10A (Tc) 7A (Tc) 120A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 4.8W (Ta), 125W (Tc) 52W (Tc) 55W (Tc) 111W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base STL140 STL15 STL13 STL160
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

STL140N6F7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL140N6F7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL140N6F7 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
STx220N6F7/STx140xx 10/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
STL140N6F7.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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