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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL10N60M2
STL10N60M2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL10N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL10N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL10N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL10N60M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STL10N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL10N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL10N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) HV  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (max) a Id, Vgs 660mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL10N60M2

Proprietà del prodotto STL10N60M2 STL110N4F7AG STL10N65M2 STL100N1VH5
Modello di prodotti STL10N60M2 STL110N4F7AG STL10N65M2 STL100N1VH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 26.5 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 108A (Tc) 4.5A (Tc) 100A (Tc)
Numero di prodotto di base STL10 STL110 STL10 STL100
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V 1150 pF @ 25 V 315 pF @ 100 V 2085 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ II Plus Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 - STripFET™ V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 2.5V, 4.5V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 660mOhm @ 2.5A, 10V 4mOhm @ 54A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 3mOhm @ 12.5A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 500mV @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 40 V 650 V 12 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±8V
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 94W (Tc) 48W (Tc) 60W (Tc)

STL10N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL10N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL10N60M2 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL10N60M2

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