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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL10N3LLH5
STL10N3LLH5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL10N3LLH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL10N3LLH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL10N3LLH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL10N3LLH5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL10N3LLH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL10N3LLH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL10N3LLH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL10N3LLH5

Proprietà del prodotto STL10N3LLH5 STL100N8F7 STL10N65M2 STL100N6LF6
Modello di prodotti STL10N3LLH5 STL100N8F7 STL10N65M2 STL100N6LF6
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±22V ±20V ±25V ±20V
Serie STripFET™ V STripFET™ - DeepGATE™, STripFET™ VI
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 80 V 650 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 46.8 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 3435 pF @ 40 V 315 pF @ 100 V 8900 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base STL10 STL100 STL10 STL100
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 100A (Tc) 4.5A (Tc) 100A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 50W (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) 48W (Tc) 4.8W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V 6.1mOhm @ 10A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 4.5mOhm @ 11A, 10V

STL10N3LLH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL10N3LLH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL10N3LLH5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Schede tecniche
STL10N3LLH5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL10N3LLH5

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