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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTI21N65M5
STI21N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STI21N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STI21N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STI21N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
STx21N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17185

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STI21N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STI21N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STI21N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 179mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base STI21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STI21N65M5

Proprietà del prodotto STI21N65M5 STI175N4F6AG STI18N60M2 STI18N65M2
Modello di prodotti STI21N65M5 STI175N4F6AG STI18N60M2 STI18N65M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (max) a Id, Vgs 179mOhm @ 8.5A, 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V - 330mOhm @ 6A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V - 20 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 40 V - 650 V
Vgs (Max) ±25V ±20V - ±25V
Serie MDmesh™ V STripFET™ F6 * MDmesh™ M2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 120A (Tc) - 12A (Tc)
Numero di prodotto di base STI21 STI175N STI18N STI18
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V 7735 pF @ 20 V - 770 pF @ 100 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK I2PAK (TO-262) - I2PAK
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA - 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 190W (Tc) - 110W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel

STI21N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STI21N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STI21N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Schede tecniche
STx21N65M5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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