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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTI175N4F6AG
STI175N4F6AG Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STI175N4F6AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STI175N4F6AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STI175N4F6AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
STI175N4F6AG.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STI175N4F6AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STI175N4F6AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STI175N4F6AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie STripFET™ F6  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base STI175N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STI175N4F6AG

Proprietà del prodotto STI175N4F6AG STI18N60M2 STI15NM60N STI24N60M2
Modello di prodotti STI175N4F6AG STI18N60M2 STI15NM60N STI24N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie STripFET™ F6 * MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 60A, 10V - 299mOhm @ 7A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 20 V - 1250 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V - 600 V 600 V
Numero di prodotto di base STI175N STI18N STI15N STI24
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) - 125W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±25V ±25V
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) - I2PAK I2PAK (TO-262)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA - 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V - 37 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) - 14A (Tc) 18A (Tc)

STI175N4F6AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STI175N4F6AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STI175N4F6AG - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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