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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTI10N62K3
STI10N62K3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STI10N62K3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STI10N62K3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STI10N62K3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
STx(x)10N62K3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31237

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STI10N62K3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STI10N62K3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STI10N62K3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 620 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc)  
Numero di prodotto di base STI10N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STI10N62K3

Proprietà del prodotto STI10N62K3 STI18N60M2 STI175N4F6AG STI20N65M5
Modello di prodotti STI10N62K3 STI18N60M2 STI175N4F6AG STI20N65M5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc) - 120A (Tc) 18A (Tc)
Serie SuperMESH3™ * STripFET™ F6 MDmesh™ V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA - 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V - 2.7mOhm @ 60A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max) ±30V - ±20V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V - 7735 pF @ 20 V 1434 pF @ 100 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V - 130 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 620 V - 40 V 650 V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) - 190W (Tc) 130W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STI10N STI18N STI175N STI20
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK - I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)

STI10N62K3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STI10N62K3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STI10N62K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
STx(x)10N62K3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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