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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTFU18N60M2
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STFU18N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STFU18N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STFU18N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STFU18N60M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35798

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STFU18N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STFU18N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STFU18N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 791 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base STFU18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STFU18N60M2

Proprietà del prodotto STFU18N60M2 STFW38N65M5 STFU13N65M2 STFW3N150
Modello di prodotti STFU18N60M2 STFW38N65M5 STFU13N65M2 STFW3N150
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 30A (Tc) 10A (Tc) 2.5A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 791 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V 590 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base STFU18 STFW38 STFU13 STFW3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) 57W (Tc) 25W (Tc) 63W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 650 V 1500 V
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 430mOhm @ 5A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-3PF TO-220FP TO-3PF
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie MDmesh™ M2 MDmesh™ V MDmesh™ M2 PowerMESH™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STFU18N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STFU18N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STFU18N60M2 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STFU18N60M2.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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