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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTFU15N80K5
STFU15N80K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STFU15N80K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STFU15N80K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STFU15N80K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STFU15N80K5.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 20542

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STFU15N80K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STFU15N80K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STFU15N80K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (max) a Id, Vgs 375mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base STFU15  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STFU15N80K5

Proprietà del prodotto STFU15N80K5 STFW12N120K5 STFU18N60M2 STFU18N65M2
Modello di prodotti STFU15N80K5 STFW12N120K5 STFU18N60M2 STFU18N65M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 1370 pF @ 100 V 791 pF @ 100 V 770 pF @ 100 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 375mOhm @ 7A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 330mOhm @ 6A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-3PF TO-220FP TO-220FP
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ K5 MDmesh™ K5 MDmesh™ M2 MDmesh™ M2
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STFU15 STFW12 STFU18 STFU18
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 63W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 1200 V 600 V 650 V

STFU15N80K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STFU15N80K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STFU15N80K5 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STFU15N80K5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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