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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTFI13NK60Z
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STFI13NK60Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STFI13NK60Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STFI13NK60Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Scheda dati
STFI13NK60Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18232

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STFI13NK60Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STFI13NK60Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STFI13NK60Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base STFI13N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STFI13NK60Z

Proprietà del prodotto STFI13NK60Z STF9NM50N STF9NM60N STFI13NM60N
Modello di prodotti STFI13NK60Z STF9NM50N STF9NM60N STFI13NM60N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 4.5A, 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 600 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281) TO-220FP TO-220FP I2PAKFP (TO-281)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 5A (Tc) 6.5A (Tc) 11A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V 570 pF @ 50 V 452 pF @ 50 V 790 pF @ 50 V
Serie SuperMESH™ MDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ II
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Numero di prodotto di base STFI13N STF9 STF9NM60 STFI13N
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STFI13NK60Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STFI13NK60Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STFI13NK60Z - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
STFIYYY 15/Dec/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPD/15/9156 20/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
STFI13NK60Z.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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