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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTFI10N65K3
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STFI10N65K3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STFI10N65K3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STFI10N65K3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Scheda dati
STx(x)10N65K3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26634

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STFI10N65K3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STFI10N65K3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STFI10N65K3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base STFI10N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STFI10N65K3

Proprietà del prodotto STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
Modello di prodotti STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 800 V 600 V
Numero di prodotto di base STFI10N STF9NM60 STF9N80 STFH13
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 452 pF @ 50 V 340 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281) TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc) 11A (Tc)

STFI10N65K3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STFI10N65K3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STFI10N65K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
STx(x)10N65K3.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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