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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD60N55F3
STD60N55F3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD60N55F3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD60N55F3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD60N55F3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STx60N55F3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD60N55F3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD60N55F3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD60N55F3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie STripFET™ III  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD60N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD60N55F3

Proprietà del prodotto STD60N55F3 STD60N3LH5 STD60NF06T4 STD60NF06
Modello di prodotti STD60N55F3 STD60N3LH5 STD60NF06T4 STD60NF06
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STD60N STD60N STD60 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 48A (Tc) 60A (Tc) -
Serie STripFET™ III STripFET™ V STripFET™ II -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 8.8 nC @ 5 V 66 nC @ 10 V -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V 8mOhm @ 24A, 10V 16mOhm @ 30A, 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 30 V 60 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

STD60N55F3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD60N55F3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD60N55F3 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
Schede tecniche
STx60N55F3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD60N55F3

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