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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD60N3LH5
STD60N3LH5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STD60N3LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD60N3LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD60N3LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD60N3LH5.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4420

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STD60N3LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD60N3LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD60N3LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD60N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD60N3LH5

Proprietà del prodotto STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60N55T4 STD60GK08
Modello di prodotti STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60N55T4 STD60GK08
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics SIRECTIFIER
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V - -
Serie STripFET™ V STripFET™ III - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 80A (Tc) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 55 V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V 45 nC @ 10 V - -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 110W (Tc) - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 24A, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V - -
Numero di prodotto di base STD60N STD60N - -

STD60N3LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD60N3LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD60N3LH5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
STD60N3LH5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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