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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD13NM60ND
STD13NM60ND Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD13NM60ND - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD13NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD13NM60ND
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STx13NM60ND.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12487

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD13NM60ND
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD13NM60ND, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD13NM60ND

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 109W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD13  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD13NM60ND

Proprietà del prodotto STD13NM60ND STD150N3LLH6 STD13N60DM2 STD13N60M2
Modello di prodotti STD13NM60ND STD150N3LLH6 STD13N60DM2 STD13N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STD13 STD15 STD13 STD13
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 365mOhm @ 5.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 109W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 30 V 600 V 600 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie FDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ DM2 MDmesh™ II Plus
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 50 V 3700 pF @ 25 V 730 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 80A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STD13NM60ND Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD13NM60ND PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD13NM60ND - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
STx13NM60ND.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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