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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD13N65M2
STD13N65M2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD13N65M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD13N65M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD13N65M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD13N65M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46970

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD13N65M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD13N65M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD13N65M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD13  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD13N65M2

Proprietà del prodotto STD13N65M2 STD13N60M2 STD13NM60N STD13N60DM2
Modello di prodotti STD13N65M2 STD13N60M2 STD13NM60N STD13N60DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V 790 pF @ 50 V 730 pF @ 100 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie MDmesh™ M2 MDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ DM2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 110W (Tc)
Numero di prodotto di base STD13 STD13 STD13 STD13
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 365mOhm @ 5.5A, 10V

STD13N65M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD13N65M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD13N65M2 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
STD13N65M2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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