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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB9NK70Z-1
STB9NK70Z-1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB9NK70Z-1 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB9NK70Z-1
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB9NK70Z-1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
STx9NK70Z(FP,-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB9NK70Z-1
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB9NK70Z-1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB9NK70Z-1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 700 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB9N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB9NK70Z-1

Proprietà del prodotto STB9NK70Z-1 STB9NK60ZT4 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4
Modello di prodotti STB9NK70Z-1 STB9NK60ZT4 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc) 125W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc) 7A (Tc) 7.2A (Tc) 7A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperFREDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base STB9N STB9 STB9 STB9N
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 700 V 600 V 500 V 600 V

STB9NK70Z-1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB9NK70Z-1 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB9NK70Z-1 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
STx9NK70Z(FP,-1).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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