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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB9NK60ZDT4
STB9NK60ZDT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB9NK60ZDT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB9NK60ZDT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB9NK60ZDT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STB9NK60ZD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB9NK60ZDT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie SuperFREDmesh™  
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB9N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB9NK60ZDT4

Proprietà del prodotto STB9NK60ZDT4 STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
Modello di prodotti STB9NK60ZDT4 STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numero di prodotto di base STB9N STB9 STB9 STB9N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 8A (Tc) 7A (Tc) 7.5A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V 2115 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 160W (Tc) 125W (Tc) 115W (Tc)
Serie SuperFREDmesh™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK I2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 900 V 600 V 700 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

STB9NK60ZDT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB9NK60ZDT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB9NK60ZDT4 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
STB9NK60ZD.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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