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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB34N65M5
STB34N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB34N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB34N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB34N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STB,I,P,W34N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB34N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB34N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB34N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB34  

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Proprietà del prodotto STB34N65M5 STB35N60DM2 STB35N65M5 STB33N60M2
Modello di prodotti STB34N65M5 STB35N60DM2 STB35N65M5 STB33N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 210W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Serie MDmesh™ V MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ II Plus
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 28A (Tc) 27A (Tc) 26A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 45.5 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 98mOhm @ 13.5A, 10V 125mOhm @ 13A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 100 V 2400 pF @ 100 V 3750 pF @ 100 V 1781 pF @ 100 V
Numero di prodotto di base STB34 STB35 STB35 STB33

STB34N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB34N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB34N65M5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
STB,I,P,W34N65M5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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