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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB32N65M5
STB32N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB32N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB32N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB32N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STx32N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5286

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB32N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB32N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB32N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB32N65M5

Proprietà del prodotto STB32N65M5 STB34N65M5 STB30NF20L STB34NM60ND
Modello di prodotti STB32N65M5 STB34N65M5 STB30NF20L STB34NM60ND
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 200 V 600 V
Serie MDmesh™ V MDmesh™ V Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FDmesh™ II
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc) 29A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 80.4 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 75mOhm @ 15A, 5V 110mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc)
Numero di prodotto di base STB32 STB34 STB30 STB34
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V 2700 pF @ 100 V 1990 pF @ 25 V 2785 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STB32N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB32N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB32N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
STx32N65M5.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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