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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB14NK50ZT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB14NK50ZT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STx14NK50Z(FP,-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13454

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STB14NK50ZT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB14NK50ZT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB14NK50ZT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB14NK50ZT4

Proprietà del prodotto STB14NK50ZT4 STB140NF75T4 STB14NM65N STB14NK60ZT4
Modello di prodotti STB14NK50ZT4 STB140NF75T4 STB14NM65N STB14NK60ZT4
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V 2220 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 310W (Tc) 125W (Tc) 160W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 120A (Tc) 12A (Tc) 13.5A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 218 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STB14 STB140 STB14N STB14
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 75 V 650 V 600 V
Serie SuperMESH™ STripFET™ III MDmesh™ II SuperMESH™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±30V

STB14NK50ZT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB14NK50ZT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
STx14NK50Z(FP,-1).pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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