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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB14NK50Z-1
STB14NK50Z-1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB14NK50Z-1 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB14NK50Z-1
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB14NK50Z-1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
STx14NK50Z(FP,-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4430

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STB14NK50Z-1
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB14NK50Z-1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB14NK50Z-1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB14N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB14NK50Z-1

Proprietà del prodotto STB14NK50Z-1 STB14NM65N STB140NF75T4 STB14N80K5
Modello di prodotti STB14NK50Z-1 STB14NM65N STB140NF75T4 STB14N80K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 650 V 75 V 800 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V 5000 pF @ 25 V 620 pF @ 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie SuperMESH™ MDmesh™ II STripFET™ III MDmesh™ K5
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 445mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 125W (Tc) 310W (Tc) 130W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 218 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STB14N STB14N STB140 STB14
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 120A (Tc) 12A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STB14NK50Z-1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB14NK50Z-1 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB14NK50Z-1 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STx14NK50Z(FP,-1).pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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