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Casa Centro di prodotti Circuiti integrati (ICS)Memoria~~R1WV6416RSA-5SI#B0~~

Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

~~Collezione~~

R1WV6416RSA-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti: R1WV6416RSA-5SI#B0

fabbricante: Renesas Electronics Corporation

Allelco Modello di prodotti: 32D-R1WV6416RSA-5SI#B0

Modello ECAD

Descrizione delle parti: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I

Descrizione dettagliata

Pacchetto: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Scheda dati: ~~R1WV6416RSA-5SI#B0.pdf~~

Stato RoHS

~~Confronto~~

In magazzino: 14010

Specifiche

Specifiche tecnologiche R1WV6416RSA-5SI#B0
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - R1WV6416RSA-5SI#B0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - R1WV6416RSA-5SI#B0

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
fabbricante	Renesas Electronics Corporation
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	55ns
Tensione di alimentazione -	2.7V ~ 3.6V
Tecnologia	SRAM
Contenitore dispositivo fornitore	48-TSOP I
Serie	-
Contenitore / involucro	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto	Tube
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
Tipo montaggio	Surface Mount
Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	64Mbit
Organizzazione di memoria	8M x 8, 4M x 16
Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	SRAM
Numero di prodotto di base	R1WV6416
Tempo di accesso	55 ns

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc R1WV6416RSA-5SI#B0

Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	R1WV6416RSA-5SI#B0	AT93C46W-10SC	R1WV3216RBG-7SI#B0	R1WV6416RBG-5SI#B0
fabbricante	Renesas Electronics America Inc	Microchip Technology	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
Organizzazione di memoria	8M x 8, 4M x 16	128 x 8, 64 x 16	2M x 16	8M x 8, 4M x 16
Tecnologia	SRAM	EEPROM	SRAM	SRAM
Tipo montaggio	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TC)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Tensione di alimentazione -	2.7V ~ 3.6V	4.5V ~ 5.5V	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	55ns	10ms	70ns	55ns
Contenitore / involucro	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)	48-TFBGA	48-TFBGA
Contenitore dispositivo fornitore	48-TSOP I	8-SOIC	48-TFBGA (7.5x8.5)	48-TFBGA (8.5x11)
Formato di memoria	SRAM	EEPROM	SRAM	SRAM
Tipo di memoria	Volatile	Non-Volatile	Volatile	Volatile
Serie	-	-	-	-
Numero di prodotto di base	R1WV6416	93C46	R1WV3216	R1WV6416
Dimensione della memoria	64Mbit	1Kbit	32Mbit	64Mbit
Tempo di accesso	55 ns	-	70 ns	55 ns
Pacchetto	Tube	Tube	Tube	Tray
Interfaccia di memoria	Parallel	3-Wire Serial	Parallel	Parallel

R1WV6416RSA-5SI#B0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica R1WV6416RSA-5SI#B0 PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per R1WV6416RSA-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN: 2.73KHz.pdf
PCN Obsolescence/ EOL: Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione	Paese	Tempo logistico (giorno)
America	stati Uniti	5
America	Brasile	7
Europa	Germania	5
	Regno Unito	4
	Italia	5
Oceania	Australia	6
Oceania	Nuova Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Giappone	4
Medio Oriente	Israele	6

DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg)	Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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