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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaR1WV3216RBG-7SI#B0
R1WV3216RBG-7SI#B0 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
R1WV3216RBG-7SI#B0
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-R1WV3216RBG-7SI#B0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
48-TFBGA
Scheda dati
R1WV3216RBG-7SI#B0.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche R1WV3216RBG-7SI#B0
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns  
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V  
Tecnologia SRAM  
Contenitore dispositivo fornitore 48-TFBGA (7.5x8.5)  
Serie -  
Contenitore / involucro 48-TFBGA  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 32Mbit  
Organizzazione di memoria 2M x 16  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Numero di prodotto di base R1WV3216  
Tempo di accesso 70 ns  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc R1WV3216RBG-7SI#B0

Proprietà del prodotto R1WV3216RBG-7SI#B0 R1WV6416RBG-5SI#B0 S25FS512SAGNFI011 CY7C1373D-133AXI
Modello di prodotti R1WV3216RBG-7SI#B0 R1WV6416RBG-5SI#B0 S25FS512SAGNFI011 CY7C1373D-133AXI
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Infineon Technologies Infineon Technologies
Interfaccia di memoria Parallel Parallel SPI - Quad I/O, QPI Parallel
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns 55ns - -
Pacchetto Tube Tray Tube Tray
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 2V 3.135V ~ 3.6V
Tecnologia SRAM SRAM FLASH - NOR SRAM - Synchronous, SDR
Contenitore dispositivo fornitore 48-TFBGA (7.5x8.5) 48-TFBGA (8.5x11) 8-WSON (6x8) 100-TQFP (14x20)
Dimensione della memoria 32Mbit 64Mbit 512Mbit 18Mbit
Organizzazione di memoria 2M x 16 8M x 8, 4M x 16 64M x 8 1M x 18
Tipo di memoria Volatile Volatile Non-Volatile Volatile
Serie - - FS-S NoBL™
Tempo di accesso 70 ns 55 ns - 6.5 ns
Contenitore / involucro 48-TFBGA 48-TFBGA 8-WDFN Exposed Pad 100-LQFP
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Numero di prodotto di base R1WV3216 R1WV6416 S25FS512 CY7C1373
Formato di memoria SRAM SRAM FLASH SRAM

R1WV3216RBG-7SI#B0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica R1WV3216RBG-7SI#B0 PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf Mult Devices Tape 31/Jan/2018.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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