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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT2197R-EL-E
HAT2197R-EL-E Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HAT2197R-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT2197R-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HAT2197R-EL-E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3990

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT2197R-EL-E
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Numero di prodotto di base HAT2197  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HAT2197R-EL-E

Proprietà del prodotto HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
Modello di prodotti HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc
Numero di prodotto di base HAT2197 - - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V - 3400 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V - 5.8mOhm @ 9A, 10V 16.5mOhm @ 5.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V - 23 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Vgs (th) (max) a Id - - 2.5V @ 1mA -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) - 2.5W 2W (Ta)
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP - 8-SOP 8-SOP
Serie - * - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) - 18A 11A (Ta)

HAT2197R-EL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HAT2197R-EL-E PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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