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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT2196C-EL-E
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT2196C-EL-E - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
HAT2196C-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT2196C-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
HAT2196C-EL-E.pdf
In magazzino: 130640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT2196C-EL-E
Specifiche tecniche Renesas - HAT2196C-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - HAT2196C-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  

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Proprietà del prodotto HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
Modello di prodotti HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
fabbricante Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 18A 16A (Ta) -
temperatura di esercizio 150°C -55°C ~ 150°C 150°C (TJ) -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta) 2.5W 2.5W (Ta) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK 8-SOP 8-SOP -
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 3400 pF @ 10 V 2650 pF @ 10 V -
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V 5.8mOhm @ 9A, 10V 6.7mOhm @ 8A, 10V -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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