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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT1089C-EL-E
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT1089C-EL-E - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
HAT1089C-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT1089C-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HAT1089C - Pch Single Power Mosf
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
HAT1089C-EL-E.pdf
In magazzino: 3690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT1089C-EL-E
Specifiche tecniche Renesas - HAT1089C-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - HAT1089C-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 103mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas HAT1089C-EL-E

Proprietà del prodotto HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1072H-EL-E
Modello di prodotti HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1072H-EL-E
fabbricante Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V +10V, -20V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 12 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK 6-CMFPAK 6-CMFPAK LFPAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta) 830mW (Ta) 900mW (Ta) 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads SC-100, SOT-669
temperatura di esercizio 150°C 150°C 150°C 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 103mOhm @ 1A, 4.5V 175mOhm @ 800mA, 4.5V 52mOhm @ 1.5A, 4.5V 4.5mOhm @ 20A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V 200 pF @ 10 V 1380 pF @ 10 V 9500 pF @ 10 V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 4A (Ta) 40A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 155 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 1mA 1.4V @ 1mA 1.2V @ 1mA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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