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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT1069C-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT1069C-EL-E - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HAT1069C-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT1069C-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
HAT1069C.pdf
In magazzino: 4030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT1069C-EL-E
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HAT1069C-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HAT1069C-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HAT1069C-EL-E

Proprietà del prodotto HAT1069C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1072H-EL-E HAT1089C-EL-E
Modello di prodotti HAT1069C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1072H-EL-E HAT1089C-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) 830mW (Ta) 30W (Tc) 850mW (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
temperatura di esercizio 150°C 150°C 150°C (TJ) 150°C
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±12V +10V, -20V ±12V
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V 175mOhm @ 800mA, 4.5V 4.5mOhm @ 20A, 10V 103mOhm @ 1A, 4.5V
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads SC-100, SOT-669 6-SMD, Flat Leads
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 1.5A (Ta) 40A (Ta) 2A (Ta)
Serie - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 1mA 1.4V @ 1mA - 1.4V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore 6-CMFPAK 6-CMFPAK LFPAK 6-CMFPAK
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V 155 nC @ 10 V 4.5 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 10 V 200 pF @ 10 V 9500 pF @ 10 V 365 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V 30 V 20 V

HAT1069C-EL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HAT1069C-EL-E PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HAT1069C-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 15/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
HAT1069C.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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