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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)Memoria71V65903S85BQ
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71V65903S85BQ - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
71V65903S85BQ
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-71V65903S85BQ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
165-TBGA
Scheda dati
IDT Suffixes.pdf
In magazzino: 1426

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 71V65903S85BQ
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 71V65903S85BQ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 71V65903S85BQ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 3.135V ~ 3.465V  
Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)  
Contenitore dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15)  
Serie -  
Contenitore / involucro 165-TBGA  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 9Mbit  
Organizzazione di memoria 512K x 18  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Numero di prodotto di base 71V65903  
Tempo di accesso 8.5 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 71V65903S85BQ

Proprietà del prodotto 71V65903S85BQ 71V65803S133PFGI 71V67603S150BQ 71V67603S166PF
Modello di prodotti 71V65903S85BQ 71V65803S133PFGI 71V67603S150BQ 71V67603S166PF
fabbricante Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) 100-TQFP (14x14) 165-CABGA (13x15) 100-TQFP (14x14)
Tempo di accesso 8.5 ns 4.2 ns 3.8 ns 3.5 ns
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Contenitore / involucro 165-TBGA 100-LQFP 165-TBGA 100-LQFP
Organizzazione di memoria 512K x 18 512K x 18 256K x 36 256K x 36
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dimensione della memoria 9Mbit 9Mbit 9Mbit 9Mbit
Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Synchronous, SDR
Tensione di alimentazione - 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
Pacchetto Tray Bulk Bulk Bulk
Numero di prodotto di base 71V65903 71V65803 71V67603 71V67603
Formato di memoria SRAM SRAM SRAM SRAM

71V65903S85BQ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 71V65903S85BQ PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 71V65903S85BQ - Renesas Electronics America Inc.

PCN Design/Specifica
All Dev Label Chg 1/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
IDT Suffixes.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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