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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)Memoria71V65803S133PFGI
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

71V65803S133PFGI - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
71V65803S133PFGI
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-71V65803S133PFGI
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Pacchetto
100-LQFP
Scheda dati
71V65803S133PFGI.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 1412

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 71V65803S133PFGI
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 71V65803S133PFGI, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 71V65803S133PFGI

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 3.135V ~ 3.465V  
Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)  
Contenitore dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14)  
Serie -  
Contenitore / involucro 100-LQFP  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 9Mbit  
Organizzazione di memoria 512K x 18  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Frequenza dell'orologio 133 MHz  
Numero di prodotto di base 71V65803  
Tempo di accesso 4.2 ns  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 71V65803S133PFGI

Proprietà del prodotto 71V65803S133PFGI 71V65803S133BQI 71V65703S85BQI 71V65703S85BQI
Modello di prodotti 71V65803S133PFGI 71V65803S133BQI 71V65703S85BQI 71V65703S85BQI
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc
Organizzazione di memoria 512K x 18 512K x 18 256K x 36 256K x 36
Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
Dimensione della memoria 9Mbit 9Mbit 9Mbit 9Mbit
Tempo di accesso 4.2 ns 4.2 ns 8.5 ns 8.5 ns
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Tensione di alimentazione - 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Pacchetto Tray Tray Tray Bulk
Numero di prodotto di base 71V65803 71V65803 71V65703 71V65703
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenza dell'orologio 133 MHz 133 MHz - -
Contenitore / involucro 100-LQFP 165-TBGA 165-TBGA 165-TBGA
Contenitore dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) 165-CABGA (13x15) 165-CABGA (13x15) 165-CABGA (13x15)
Formato di memoria SRAM SRAM SRAM SRAM
Serie - - - -
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -

71V65803S133PFGI Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 71V65803S133PFGI PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 71V65803S133PFGI - Renesas Electronics America Inc.

PCN Design/Specifica
Cylindrical Battery Holders.pdf
Assemblaggio/origine PCN
2.73KHz.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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