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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMV40UN2R
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMV40UN2R - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMV40UN2R
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PMV40UN2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PMV40UN2,215 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 367450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMV40UN2R
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PMV40UN2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PMV40UN2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 44mOhm @ 3.7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 635 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMV40UN2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PMV40UN2R

Proprietà del prodotto PMV40UN2R PMV45EN2R PMV45EN,215 PMV40UN,215
Modello di prodotti PMV40UN2R PMV45EN2R PMV45EN,215 PMV40UN,215
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 9.3 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) 280mW (Tj) 1.9W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 635 pF @ 15 V 209 pF @ 15 V 350 pF @ 30 V 445 pF @ 30 V
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 1mA 700mV @ 1mA (Typ)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta) 4.1A (Ta) 5.4A (Tc) 4.9A (Tc)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 44mOhm @ 3.7A, 4.5V 42mOhm @ 4.1A, 10V 42mOhm @ 2A, 10V 47mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±8V
Numero di prodotto di base PMV40UN2 PMV45EN2 PMV4 PMV4
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - TrenchMOS™ TrenchMOS™
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

PMV40UN2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMV40UN2R PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PMV40UN2R - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
PMV40UN2,215 Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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