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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMV45EN,215
PMV45EN,215 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMV45EN,215 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMV45EN,215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMV45EN,215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PMV45EN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMV45EN,215
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMV45EN,215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMV45EN,215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB)  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 280mW (Tj)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)  
Numero di prodotto di base PMV4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMV45EN,215

Proprietà del prodotto PMV45EN,215 PMV40UN,215 PMV45EN2215 PMV40UN2R
Modello di prodotti PMV45EN,215 PMV40UN,215 PMV45EN2215 PMV40UN2R
fabbricante NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base PMV4 PMV4 - PMV40UN2
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Dissipazione di potenza (max) 280mW (Tj) 1.9W (Tc) - 490mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 2A, 10V 47mOhm @ 2A, 4.5V - 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V 445 pF @ 30 V - 635 pF @ 15 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V 9.3 nC @ 4.5 V - 12 nC @ 4.5 V
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ * -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc) 4.9A (Tc) - 3.7A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±8V - ±12V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 700mV @ 1mA (Typ) - 900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB) - TO-236AB

PMV45EN,215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMV45EN,215 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMV45EN,215 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
PMV45EN.pdf

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Europa Germania 5
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