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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMV20XNER
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMV20XNER - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMV20XNER
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PMV20XNER
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PMV20XNE.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 298680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMV20XNER
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PMV20XNER, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PMV20XNER

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 5.7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMV20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PMV20XNER

Proprietà del prodotto PMV20XNER PMV213SN,215 PMV20XN,215 PMV185XN,215
Modello di prodotti PMV20XNER PMV213SN,215 PMV20XN,215 PMV185XN,215
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 5.7A, 4.5V 250mOhm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base PMV20 PMV213 PMV2 PMV1
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 280mW (Tj) 510mW (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±30V ±12V ±12V
Serie - TrenchMOS™ - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB)
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 4V @ 1mA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V 330 pF @ 20 V 585 pF @ 15 V 76 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 1.9A (Tc) 4.8A (Ta) 1.1A (Ta)

PMV20XNER Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMV20XNER PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PMV20XNER - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Schede tecniche
PMV20XNE.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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