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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMV185XN,215
PMV185XN,215 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMV185XN,215 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMV185XN,215
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMV185XN,215
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
PMV185XN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMV185XN,215
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMV185XN,215, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMV185XN,215

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMV1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMV185XN,215

Proprietà del prodotto PMV185XN,215 PMV20XNER PMV20XN,215 PMV16XNR
Modello di prodotti PMV185XN,215 PMV20XNER PMV20XN,215 PMV16XNR
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 510mW (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V 1150 pF @ 15 V 585 pF @ 15 V 1240 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base PMV1 PMV20 PMV2 PMV16
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta) 5.7A (Ta) 4.8A (Ta) 6.8A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V 23mOhm @ 5.7A, 4.5V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V 18.6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 20.2 nC @ 4.5 V

PMV185XN,215 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMV185XN,215 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMV185XN,215 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
PMV185XN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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