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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPH3230S,115
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PH3230S,115 - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PH3230S,115
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PH3230S,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
PH3230S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PH3230S,115
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PH3230S,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PH3230S,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PH3230S,115

Proprietà del prodotto PH3230S,115 PH3030AL,115 PH3330L,115 PH3830DLX
Modello di prodotti PH3230S,115 PH3030AL,115 PH3330L,115 PH3830DLX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.15V @ 1mA -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V 3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 5 V 45.8 nC @ 10 V 30.5 nC @ 4.5 V -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 10 V 2822 pF @ 12 V 4840 pF @ 12 V -
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 -

PH3230S,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PH3230S,115 PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PH3230S,115 - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Schede tecniche
PH3230S.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
2017 Year-End EOL 8/Jan/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PH3230S,115

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