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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPH3330L,115
NXP USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

PH3330L,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PH3330L,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PH3330L,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
PH3330L,115.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4720

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche PH3330L,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PH3330L,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PH3330L,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base PH33  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PH3330L,115

Proprietà del prodotto PH3330L,115 PH3230S,115 PH3830DLX PH3V161610FTP-6
Modello di prodotti PH3330L,115 PH3230S,115 PH3830DLX PH3V161610FTP-6
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. LUMILEDS
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA 3V @ 1mA - -
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 - -
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 4.5 V 42 nC @ 5 V - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Serie TrenchMOS™ - - -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc) - - -
Numero di prodotto di base PH33 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840 pF @ 12 V 4100 pF @ 10 V - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -

PH3330L,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PH3330L,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PH3330L,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 31/Dec/2011.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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