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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFMRF5812R2
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MRF5812R2 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
MRF5812R2
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MRF5812R2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Scheda dati
MRF5812(G)(R1,R2).pdf
In magazzino: 22377

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MRF5812R2
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - MRF5812R2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - MRF5812R2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 200mA  
Tensione - Ripartizione 8-SO  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 18V  
Serie -  
Stato RoHS Tape & Reel (TR)  
Resistenza - Base (R1) (ohm) 5GHz  
Potenza - Max 1.25W  
Polarizzazione 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)  
codice articolo del costruttore MRF5812R2  
Guadagno 2dB @ 500MHz  
Frequenza - transizione 50 @ 50mA, 5V  
Tipo FET 15.5dB  
Descrizione espansione RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO  
Descrizione RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC  
Corrente - collettore (Ic) (max) NPN  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation MRF5812R2

Proprietà del prodotto MRF5812R2 MRF559 MRF5812R1 MRF581A
Modello di prodotti MRF5812R2 MRF559 MRF5812R1 MRF581A
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Resistenza - Base (R1) (ohm) 5GHz - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 200mA 16V 15V 15V
Serie - - - -
Tensione - Ripartizione 8-SO - - -
codice articolo del costruttore MRF5812R2 - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 18V - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) NPN 150mA 200mA 200mA
Frequenza - transizione 50 @ 50mA, 5V 870MHz 5GHz 5GHz
Potenza - Max 1.25W 2W 1.25W 1.25W
Polarizzazione 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - - -
Descrizione espansione RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO - - -
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Stato RoHS Tape & Reel (TR) - - -
Tipo FET 15.5dB - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - 150°C (TJ)
Descrizione RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC - - -
Guadagno 2dB @ 500MHz 9.5dB 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB

MRF5812R2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MRF5812R2 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per MRF5812R2 - Microsemi Corporation.

Specifiche
MRF5812(G)(R1,R2).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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