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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFMRF5812R1
MRF5812R1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MRF5812R1 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
MRF5812R1
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MRF5812R1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
MRF5812R1.pdf
In magazzino: 3730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MRF5812R1
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - MRF5812R1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - MRF5812R1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 15V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Di rumore (dB tip @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno 13dB ~ 15.5dB  
Frequenza - transizione 5GHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 200mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation MRF5812R1

Proprietà del prodotto MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
Modello di prodotti MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Guadagno 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 2dB @ 500MHz
Tipo transistor NPN NPN NPN -
Potenza - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - collettore (Ic) (max) 200mA 200mA 200mA NPN
temperatura di esercizio - 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Frequenza - transizione 5GHz 5GHz 5GHz 50 @ 50mA, 5V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -
Di rumore (dB tip @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 15V 18V 18V 200mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -

MRF5812R1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MRF5812R1 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per MRF5812R1 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
B0YY 02/Jul/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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MRF5812R1

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32D-MRF5812R1

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