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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloJANTX2N6804
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

JANTX2N6804 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
JANTX2N6804
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-JANTX2N6804
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-204AA, TO-3
Scheda dati
JANTX2N6804.pdf
In magazzino: 4760

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Specifiche

Specifiche tecnologiche JANTX2N6804
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - JANTX2N6804, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - JANTX2N6804

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-204AA  
Serie Military, MIL-PRF-19500/562  
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation JANTX2N6804

Proprietà del prodotto JANTX2N6804 JANTX2N6796 JANTX2N6798 JANTX2N6768
Modello di prodotti JANTX2N6804 JANTX2N6796 JANTX2N6798 JANTX2N6768
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 75W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AF Metal Can TO-204AE
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 11A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 400mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie Military, MIL-PRF-19500/562 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/543
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 8A (Tc) 5.5A (Tc) 14A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-204AA TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-3
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 400 V

JANTX2N6804 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica JANTX2N6804 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per JANTX2N6804 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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